ON Semiconductor FDC5614P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

105MOhm

电压 - 额定直流

-60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-3A

通道数量

1

电压

60V

元素配置

Single

电流

2A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.6W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

759pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

3A

阈值电压

-1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-60V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

-1.6 V

高度

900μm

长度

3mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅