ON Semiconductor FDD10AN06A0-F085

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

42 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

135W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

135W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1840pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

37nC @ 10V

上升时间

79ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

11A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

429 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant