ON Semiconductor FDD3682

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 hours ago)

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A Ta 32A Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

Power Dissipation (Max)

95W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

36MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

32A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

95W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

36m Ω @ 32A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1250pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 10V

上升时间

46ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

26 ns

连续放电电流(ID)

32A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.5A

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

55 mJ

栅源电压

4 V

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

高度

2.39mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅