ON Semiconductor FDD390N15A
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FDD390N15A
1807-FDD390N15A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET PT5 100/20V NCH
--最小包装量--
FDD390N15A详情
ON Semiconductor FDD390N15A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 hours ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
2
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
26A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
63W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
PowerTrench®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
63W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 26A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1285pF @ 75V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18.6nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
26A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.04Ohm
漏源击穿电压
150V
雪崩能量等级(Eas)
78 mJ
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDD390N15A拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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