ON Semiconductor FDD6676

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

87 ns

Package Description

DPAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

FDD6676

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.33

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

78 A

端子表面处理

未说明

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

9 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

78 A

JEDEC-95代码

TO-252

栅极至源极电压(Vgs)

16 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0075 Ω

漏源击穿电压

30 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

370 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

7.5 mΩ

达到SVHC

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