ON Semiconductor FDD6680A

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 60W Tc

Turn Off Delay Time

31 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

FDD6680

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.5m Ω @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1425pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 5V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

56A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

55A

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

205 mJ

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

符合RoHS标准