ON Semiconductor FDD6770A

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Ta 50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.7W Ta 65W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4m Ω @ 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2405pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 10V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

27A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

24A

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准