ON Semiconductor FDD6796

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta 40A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.7W Ta 42W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.7m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2315pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

67A

漏极-源极导通最大电阻

0.0057Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

40 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

符合RoHS标准