ON Semiconductor FDD6N50TM-WS

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

89W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

UniFET™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

900mOhm

基本部件号

FDD6N50

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

89W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.6nC @ 10V

上升时间

55ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

500V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅