ON Semiconductor FDD8444L-F085

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta 50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

153W Tc

Turn Off Delay Time

42 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

153W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.2m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 5V

上升时间

46ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19.2 ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

漏极-源极导通最大电阻

0.0065Ohm

漏源击穿电压

40V

雪崩能量等级（Eas）

295 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅