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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.832748
10
¥6.445991
100
¥6.081125
500
¥5.73691
1000
¥5.412176
ON Semiconductor FDFMA2N028Z
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FDFMA2N028Z
1807-FDFMA2N028Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-VDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET 20V N-Ch PT MFET SCHOTTKY
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDFMA2N028Z详情
ON Semiconductor FDFMA2N028Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
60mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.4W Tj
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
68MOhm
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 额定直流
20V
端子位置
DUAL
额定电流
3.7A
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
68m Ω @ 3.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
455pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
3.7A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
反馈上限-最大值 (Crss)
90 pF
高度
750μm
长度
2mm
宽度
2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDFMA2N028Z拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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