FDFMA3N109
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ON Semiconductor FDFMA3N109

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型号

FDFMA3N109

utmel 编号

1807-FDFMA3N109

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-VDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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FDFMA3N109
FDFMA3N109 ON Semiconductor MOSFET PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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FDFMA3N109详情

ON Semiconductor FDFMA3N109重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-VDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    6

  • 质量

    60mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    2.9A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1.5W Ta

  • Turn Off Delay Time

    12 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    123MOhm

  • 端子表面处理

    Nickel/Gold/Palladium/Silver (Ni/Au/Pd/Ag)

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 端子位置

    DUAL

  • 额定电流

    2.9A

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.5W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    6 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    123m Ω @ 2.9A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    220pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3nC @ 4.5V

  • 上升时间

    8ns

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 下降时间(典型值)

    8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.9A

  • 阈值电压

    1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    30 pF

  • 高度

    750μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    2mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDFMA3N109相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    查看对比:
  • FDFMA3N109

    FDFMA3N109

    Surface Mount

    6-VDFN Exposed Pad

    2.9 A

    2.9A (Tc)

    1 V

    12 V

    1.5 W

    1.5W (Ta)

  • NTJS4160NT1G

    Surface Mount

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    3.9 A

    3.9A (Tc)

    -

    12 V

    1.56 W

    2.8W (Tc)

查看更多

FDFMA3N109拓展信息

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