ON Semiconductor FDFMC2P120

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

3 X 3 MM, 0.80 MM HEIGHT, MLP-6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FDFMC2P120

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.84

Drain Current-Max (ID)

3.5 A

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

229

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

MO-229WEEA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.4 W