ON Semiconductor FDFME3N311ZT

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFDFN Exposed Pad

引脚数

6

质量

25.2mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.4W Ta

Turn Off Delay Time

22 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

系列

PowerTrench®

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

299m Ω @ 1.6A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

75pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.4nC @ 4.5V

上升时间

16ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

2.8 ns

连续放电电流(ID)

1.6A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.299Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

栅源电压

1 V

高度

550μm

长度

1.6mm

宽度

1.6mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

达到SVHC

无SVHC