ON Semiconductor FDFS6N754

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

230.4mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

56mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

4A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

56m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

299pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

4A

阈值电压

1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

双电源电压

30V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

栅源电压

1.7 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅