ON Semiconductor FDG327NZ
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FDG327NZ
1807-FDG327NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-70 T/R
--最小包装量--
FDG327NZ详情
ON Semiconductor FDG327NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
28mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
420mW Ta
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
1.5A
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
420mW
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
90m Ω @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
412pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
1.5A
阈值电压
700mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏极-源极导通最大电阻
0.09Ohm
漏源击穿电压
20V
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDG327NZ拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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