ON Semiconductor FDH210N08

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

462W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-247AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

210A

漏极-源极导通最大电阻

0.0055Ohm

漏源击穿电压

75V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

840A

雪崩能量等级（Eas）

9375 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant