FDI045N10A
FDI045N10A

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ON Semiconductor FDI045N10A

  • 收藏
  • 对比

型号

FDI045N10A

utmel 编号

1807-FDI045N10A

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
FDI045N10A
FDI045N10A ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

FDI045N10A详情

ON Semiconductor FDI045N10A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    120A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    263W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PowerTrench®

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    4.5m Ω @ 100A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5270pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    74nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    120A

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDI045N10A相似的参数规格。

查看更多

FDI045N10A拓展信息

BSS138LT1G
BSS138LT1G

ON Semiconductor

BSS138L
BSS138L

ON Semiconductor

NVR5198NLT1G
NVR5198NLT1G

ON Semiconductor

NDS0605
NDS0605

ON Semiconductor

BSS123LT1G
BSS123LT1G

ON Semiconductor

FDB33N25TM
FDB33N25TM

ON Semiconductor

BSS84LT1G
BSS84LT1G

ON Semiconductor

FDS4465
FDS4465

ON Semiconductor

FDS6681Z
FDS6681Z

ON Semiconductor

NDS355AN
NDS355AN

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z