ON Semiconductor FDI150N10

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

质量

2.084g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

57A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

86 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerTrench®

已出版

2013

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

接通延迟时间

47 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16m Ω @ 49A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4760pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

69nC @ 10V

上升时间

164ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

83 ns

连续放电电流(ID)

57A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

228A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant