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'fdm3622'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

质量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

电压 - 额定直流

技术

端子位置

终端形式

额定电流

JESD-30代码

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

场效应管特性

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FDM3622.

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-PowerWDFN

8-MLP (3.3x3.3)

活跃

2.1W (Ta)

Fairchild Semiconductor

6V, 10V

4.4A (Ta)

Bulk

4V @ 250µA

-55°C ~ 150°C (TJ)

PowerTrench®

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

60mOhm @ 4.4A, 10V

1090 pF @ 25 V

17 nC @ 10 V

100 V

±20V

-

FDM3622

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

Tin

表面贴装

表面贴装

8-PowerWDFN

8

210mg

SILICON

2.1W Ta

6V 10V

4.4A Ta

35 ns

1

4V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

PowerTrench®

e4

yes

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

1 (Unlimited)

5

EAR99

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

100V

DUAL

FLAT

4.4A

S-PDSO-F5

Single

增强型MOSFET

2.1W

DRAIN

11 ns

N-Channel

SWITCHING

60m Ω @ 4.4A, 10V

1090pF @ 25V

17nC @ 10V

25ns

±20V

26 ns

4.4A

4V

20V

0.06Ohm

100V

950μm

3mm

2mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅