ON Semiconductor FDMA530PZ
- 收藏
- 对比
FDMA530PZ
1807-FDMA530PZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-VDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2
--最小包装量--
FDMA530PZ详情
ON Semiconductor FDMA530PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.4W Ta
Turn Off Delay Time
43 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
35MOhm
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 额定直流
-30V
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-6.8A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.4W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
35m Ω @ 6.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1070pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
上升时间
21ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
31 ns
连续放电电流(ID)
-6.8A
阈值电压
-2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
-30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
24A
双电源电压
-30V
栅源电压
25 V
高度
750μm
长度
2mm
宽度
2mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMA530PZ拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。