ON Semiconductor FDMA86251
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FDMA86251
1807-FDMA86251
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-WDFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP
--最小包装量--
FDMA86251详情
ON Semiconductor FDMA86251重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.4W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Gold/Palladium/Silver (Ni/Au/Pd/Ag)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N6
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
175m Ω @ 2.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
363pF @ 75V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.8nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
2.4A
漏极-源极导通最大电阻
0.175Ohm
DS 击穿电压-最小值
150V
反馈上限-最大值 (Crss)
2.4 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMA86251拓展信息
ON Semiconductor
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