ON Semiconductor FDMA86551L
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FDMA86551L
1807-FDMA86551L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-WDFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 60V 6-MLP
--最小包装量--
FDMA86551L详情
ON Semiconductor FDMA86551L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.4W Ta
Turn Off Delay Time
16 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1235pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
1.7ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
1.4 ns
连续放电电流(ID)
7.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.023Ohm
漏源击穿电压
60V
高度
750μm
长度
2mm
宽度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMA86551L拓展信息
ON Semiconductor
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