ON Semiconductor FDMA8878-F130

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

表面安装

YES

供应商器件包装

6-MicroFET (2x2)

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A (Ta), 10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

900mW (Ta)

Product Status

活跃

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

511CZ

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FDMA8878-F130

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

9 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PDSO-N6

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

720 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.016 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.4 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

35 pF