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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.560765
10
¥3.359207
100
¥3.16907
500
¥2.989685
1000
¥2.82046
ON Semiconductor FDMB668P
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- 对比
FDMB668P
1807-FDMB668P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
大陆
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MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMB668P详情
ON Semiconductor FDMB668P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
67mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.9W Ta
Turn Off Delay Time
176 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
元素配置
Single
功率耗散
1.9W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
35m Ω @ 6.1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2085pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59nC @ 10V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
6.1A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
FDMB668P拓展信息
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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