ON Semiconductor FDMC15N06

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

200mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.4A Ta 15A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 35W Tc

Turn Off Delay Time

22.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

JESD-30代码

S-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

35W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.5nC @ 10V

上升时间

36.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

15A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

雪崩能量等级（Eas）

36 mJ

高度

500μm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant