ON Semiconductor FDMC2523P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

210mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

42W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2006

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.5Ohm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

电压 - 额定直流

-150V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

额定电流

-3A

JESD-30代码

S-PDSO-F5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

42W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 10V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

3A

阈值电压

3.8V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

-150V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

800μm

长度

3mm

宽度

3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅