ON Semiconductor FDMC5614P-B8
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FDMC5614P-B8
1807-FDMC5614P-B8
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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FET -60V 100.0 MOHM MLP33
1最小包装量--
FDMC5614P-B8详情
ON Semiconductor FDMC5614P-B8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Panel Mount, Through Hole
包装/外壳
8-PowerWDFN
越来越多的功能
Flange
外壳材料
Aluminum
供应商器件包装
8-WDFN (3.3x3.3)
插入材料
-
后壳材料,电镀
-
Voltage, Rating
-
Package
Bulk
Primary Material
Metal
Base Product Number
TVP00DT
厂商
Amphenol Aerospace Operations
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ HD
终端
Solder
连接器类型
Receptacle, Male Pins
定位的数量
32
颜色
-
应用
Military
紧固类型
Threaded
额定电流
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
方向
B
屏蔽/屏蔽
Shielded
入口保护
抗环境干扰
外壳完成
Durmalon™
外壳尺寸-插入
13-32
外壳尺寸,MIL
-
电缆开口
-
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1055 pF @ 30 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
60 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
特征
校准盘
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
材料可燃性等级
-
FDMC5614P-B8拓展信息
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