FDMC5614P-B8
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ON Semiconductor FDMC5614P-B8

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型号

FDMC5614P-B8

utmel 编号

1807-FDMC5614P-B8

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerWDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FET -60V 100.0 MOHM MLP33

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FDMC5614P-B8
FDMC5614P-B8 ON Semiconductor FET -60V 100.0 MOHM MLP33

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FDMC5614P-B8详情

ON Semiconductor FDMC5614P-B8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Panel Mount, Through Hole

  • 包装/外壳

    8-PowerWDFN

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 外壳材料

    Aluminum

  • 供应商器件包装

    8-WDFN (3.3x3.3)

  • 插入材料

    -

  • 后壳材料,电镀

    -

  • Voltage, Rating

    -

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    TVP00DT

  • 厂商

    Amphenol Aerospace Operations

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5.7A (Ta), 13.5A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    2.1W (Ta), 42W (Tc)

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ HD

  • 终端

    Solder

  • 连接器类型

    Receptacle, Male Pins

  • 定位的数量

    32

  • 颜色

    -

  • 应用

    Military

  • 紧固类型

    Threaded

  • 额定电流

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 方向

    B

  • 屏蔽/屏蔽

    Shielded

  • 入口保护

    抗环境干扰

  • 外壳完成

    Durmalon™

  • 外壳尺寸-插入

    13-32

  • 外壳尺寸,MIL

    -

  • 电缆开口

    -

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100mOhm @ 5.7A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1055 pF @ 30 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    20 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    校准盘

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    50.0µin (1.27µm)

  • 材料可燃性等级

    -

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor FDMC5614P-B8.

FDMC5614P-B8拓展信息

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