ON Semiconductor FDMC612PZ
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FDMC612PZ
1807-FDMC612PZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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MOSFET P-CH 20V 8-MLP
--最小包装量--
FDMC612PZ详情
ON Semiconductor FDMC612PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
180mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.3W Ta 26W Tc
Turn Off Delay Time
96 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
26 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.4m Ω @ 14A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7995pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
74nC @ 4.5V
上升时间
52ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
81 ns
连续放电电流(ID)
14A
JEDEC-95代码
MO-240BA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
DS 击穿电压-最小值
20V
高度
750μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
RoHS状态
符合RoHS标准
FDMC612PZ拓展信息
ON Semiconductor
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