ON Semiconductor FDMC6675BZ

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

200mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A Ta 20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 36W Tc

Turn Off Delay Time

44 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2010

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

14.4MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

JESD-30代码

S-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.4m Ω @ 9.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2865pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65nC @ 10V

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

26 ns

连续放电电流(ID)

9.5A

阈值电压

-1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40A

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32A

高度

750μm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅