ON Semiconductor FDMC7696
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FDMC7696
1807-FDMC7696
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
--最小包装量--
FDMC7696详情
ON Semiconductor FDMC7696重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
23 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
包装/外壳
8-PowerWDFN
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
180mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Ta 20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.4W Ta 25W Tc
Turn Off Delay Time
19 ns
Number of Elements
1
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
JESD-30代码
S-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
25W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.5m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1430pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2 ns
连续放电电流(ID)
20A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
栅源电压
2 V
高度
750μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMC7696拓展信息
ON Semiconductor
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