FDMC7696
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ON Semiconductor FDMC7696

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型号

FDMC7696

utmel 编号

1807-FDMC7696

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerWDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMC7696
FDMC7696 ON Semiconductor MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMC7696详情

ON Semiconductor FDMC7696重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    23 Weeks

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 包装/外壳

    8-PowerWDFN

  • 安装类型

    表面贴装

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    8

  • 质量

    180mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    12A Ta 20A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    2.4W Ta 25W Tc

  • Turn Off Delay Time

    19 ns

  • Number of Elements

    1

  • 系列

    PowerTrench®

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 端子位置

    DUAL

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N5

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    25W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    11.5m Ω @ 12A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1430pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    22nC @ 10V

  • 上升时间

    2ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    2 ns

  • 连续放电电流(ID)

    20A

  • 阈值电压

    2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    50A

  • 栅源电压

    2 V

  • 高度

    750μm

  • 长度

    3.3mm

  • 宽度

    3.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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