ON Semiconductor FDMC86106LZ
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FDMC86106LZ
1807-FDMC86106LZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1最小包装量--
FDMC86106LZ详情
ON Semiconductor FDMC86106LZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
供应商器件包装
8-MLP (3.3x3.3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.3A Ta 7.5A Tc
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.3W Ta 19W Tc
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
PowerTrench®
已出版
2013
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
19W
接通延迟时间
4.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
103mOhm @ 3.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
310pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 10V
上升时间
1.3ns
漏源电压 (Vdss)
100V
下降时间(典型值)
1.4 ns
连续放电电流(ID)
7.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
输入电容
310pF
漏源电阻
103mOhm
最大rds
103 mΩ
高度
750μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMC86106LZ拓展信息
ON Semiconductor
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