ON Semiconductor FDMC86265P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

165.33333mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Ta 1.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Turn Off Delay Time

8 ns

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 16W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

210pF @ 75V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 10V

上升时间

2.2ns

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

6.4 ns

连续放电电流(ID)

1.8A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

-150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2A

雪崩能量等级（Eas）

6 mJ

宽度

3.3mm

高度

750μm

长度

3.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant