ON Semiconductor FDMC86340
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FDMC86340
1807-FDMC86340
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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MOSFET N-CH 80V 48A POWER33
--最小包装量--
FDMC86340详情
ON Semiconductor FDMC86340重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
152.7mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Ta 48A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.3W Ta 54W Tc
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
JESD-30代码
S-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
54W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.5m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3885pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
53nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
48A
JEDEC-95代码
MO-240BA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0065Ohm
漏源击穿电压
80V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
高度
750μm
长度
3.4mm
宽度
3.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMC86340拓展信息
ON Semiconductor
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