ON Semiconductor FDMC86340ET80
- 收藏
- 对比
FDMC86340ET80
1807-FDMC86340ET80
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
大陆
立即发货

MOSFET TV Monitor/POE/Network/Telcom
--最小包装量--
FDMC86340ET80详情
ON Semiconductor FDMC86340ET80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
152.7mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Ta 68A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V 10V
Power Dissipation (Max)
2.8W Ta 65W Tc
Turn Off Delay Time
23 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.5m Ω @ 14A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2775pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
49nC @ 10V
上升时间
7.9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.1 ns
连续放电电流(ID)
68A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
80V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMC86340ET80拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor









哦! 它是空的。