ON Semiconductor FDMC8878
- 收藏
- 对比
FDMC8878
1807-FDMC8878
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
--最小包装量--
FDMC8878详情
ON Semiconductor FDMC8878重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
23 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
180mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.6A Ta 16.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.1W Ta 31W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
14MOhm
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N5
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 9.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1230pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
4ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
9.6A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
双电源电压
30V
栅源电压
1.7 V
高度
950μm
长度
3mm
宽度
3mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMC8878拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。