ON Semiconductor FDMS0306AS
- 收藏
- 对比
FDMS0306AS
1807-FDMS0306AS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server
--最小包装量--
FDMS0306AS详情
ON Semiconductor FDMS0306AS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
68.1mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
26A Ta 49A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 59W Tc
Turn Off Delay Time
32 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®, SyncFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4m Ω @ 26A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3550pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
57nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
49A
JEDEC-95代码
MO-240AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
26A
漏极-源极导通最大电阻
0.0024Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100A
DS 击穿电压-最小值
30V
高度
1mm
长度
6mm
宽度
5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS0306AS拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。