ON Semiconductor FDMS6673BZ

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.2A Ta 28A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 73W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.8m Ω @ 15.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5915pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

JEDEC-95代码

MO-240AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.0068Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

反馈上限-最大值 (Crss)

1045 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant