ON Semiconductor FDMS6681Z

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

68.1mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21.1A Ta 49A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 73W Tc

Turn Off Delay Time

260 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.2MOhm

端子位置

DUAL

JESD-30代码

R-PDSO-N5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.2m Ω @ 22.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10380pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

241nC @ 10V

上升时间

38ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

197 ns

连续放电电流(ID)

-21.1A

阈值电压

-1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

-30V

最大结点温度（Tj）

150°C

反馈上限-最大值 (Crss)

2020 pF

高度

1.1mm

长度

5mm

宽度

6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅