ON Semiconductor FDMS7650DC
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FDMS7650DC
1807-FDMS7650DC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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FDMS7650DC N-Channel MOSFET, 289 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor
--最小包装量--
FDMS7650DC详情
ON Semiconductor FDMS7650DC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
90mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
47A Ta 100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.3W Ta 125W Tc
Turn Off Delay Time
81 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Dual Cool™, PowerTrench®
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3.3W
箱体转运
排水源头
接通延迟时间
29 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
0.99m Ω @ 36A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14765pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
206nC @ 10V
上升时间
28ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
47A
阈值电压
1.9V
JEDEC-95代码
MO-240AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.00099Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
高度
1.05mm
长度
5mm
宽度
6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS7650DC拓展信息
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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