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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 质量 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | JESD-30代码 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | Vgs（最大值） | 下降时间（典型值） | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 雪崩能量等级（Eas） | 栅源电压 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMS8026S | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | 8 | 74mg | SILICON | 19A Ta 22A Tc | 4.5V 10V | 1 | 2.5W Ta 41W Tc | 25 ns | 3V @ 1mA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | PowerTrench®, SyncFET™ | e3 | yes | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | Tin (Sn) | DUAL | FLAT | R-PDSO-F5 | Single | 增强型MOSFET | 41W | DRAIN | 9 ns | N-Channel | SWITCHING | 4.3m Ω @ 19A, 10V | 2280pF @ 15V | 37nC @ 10V | 3.9ns | ±20V | 3.2 ns | 22A | 1.5V | MO-240AA | 20V | 0.0043Ohm | 30V | 33 mJ | 1.5 V | 1.05mm | 5mm | 6mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant |
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