ON Semiconductor FDMS86350

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

56.5mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Ta 130A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

8V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.7W Ta 156W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

JESD-30代码

R-PDSO-N5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10680pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

155nC @ 10V

上升时间

34ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

25A

JEDEC-95代码

MO-240AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0024Ohm

漏源击穿电压

80V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.1mm

长度

5.1mm

宽度

6.25mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant