ON Semiconductor FDN327N
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FDN327N
1807-FDN327N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
--最小包装量--
FDN327N详情
ON Semiconductor FDN327N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
70MOhm
电压 - 额定直流
20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
2A
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
423pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.3nC @ 4.5V
上升时间
6.5ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
6.5 ns
连续放电电流(ID)
2A
阈值电压
700mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏源击穿电压
20V
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
700 mV
高度
1.22mm
长度
2.92mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDN327N拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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