FDN361BN
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ON Semiconductor FDN361BN

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型号

FDN361BN

utmel 编号

1807-FDN361BN

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

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FDN361BN ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

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FDN361BN详情

ON Semiconductor FDN361BN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    30mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.4A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    500mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    16 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2017

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    快速切换

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 资历状况

    不合格

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    500mW

  • 接通延迟时间

    3 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    110m Ω @ 1.4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    193pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.8nC @ 4.5V

  • 上升时间

    8ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1.4A

  • 阈值电压

    2.1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 高度

    940μm

  • 长度

    1.4mm

  • 宽度

    2.92mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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