ON Semiconductor FDN361BN

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.4A Ta

Turn Off Delay Time

16 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

快速切换

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 1.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

193pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.8nC @ 4.5V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

1.4A

阈值电压

2.1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

宽度

2.92mm

长度

1.4mm

高度

940μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅