ON Semiconductor FDN361BN
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FDN361BN
1807-FDN361BN
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
--最小包装量--
FDN361BN详情
ON Semiconductor FDN361BN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
16 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
快速切换
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
接通延迟时间
3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
110m Ω @ 1.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
193pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.8nC @ 4.5V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
1.4A
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
高度
940μm
长度
1.4mm
宽度
2.92mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDN361BN拓展信息
ON Semiconductor
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