ON Semiconductor FDP12N50NZ

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

170W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.5A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

UniFET-II™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

170W

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

520m Ω @ 5.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1235pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

11.5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.52Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

46A

雪崩能量等级（Eas）

560 mJ

高度

16.07mm

长度

10.36mm

宽度

4.9mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant