ON Semiconductor FDP12N60NZ

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

240W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

UniFET-II™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

240W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1676pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 10V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

雪崩能量等级（Eas）

565 mJ

宽度

4.83mm

长度

10.67mm

高度

16.51mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant