ON Semiconductor FDP15N65

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

105 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

UniFET™

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

250W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

440mOhm @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3095pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 10V

上升时间

125ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

15A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

650V

输入电容

3.095nF

漏源电阻

440mOhm

最大rds

440 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准