ON Semiconductor FDP8443

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta 80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

188W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5m Ω @ 80A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9310pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

185nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏极-源极导通最大电阻

0.0035Ohm

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

531 mJ

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准